magnetorezystor
rezystor o rezystancji zmieniającej się pod wpływem zewn. pola magnet. (magnetooporowe zjawisko);
[gr.-łac.],
magnetoopornik,
magnetorezystor
Encyklopedia PWN
przebieg zmian rezystancji zależy od wartości i kierunku wektora natężenia pola magnet. oraz od rodzaju materiału i kształtu m. Rozróżnia się m. półprzewodnikowe, zw. też gausotronami, wykonane z półprzewodnika, gł. z antymonku indu (InSb), arsenku indu (InAs) lub związków złożonych (np. InSb-NiSb, CdHgTe), oraz m. ferromagnetyczne, zw. też metalowymi, wykonane najczęściej ze stopu niklu z żelazem i kobaltem (np. NiFe, NiCo, NiFeCo). Pierwsze wytwarza się zwykle w postaci meandra złożonego z szeregowo połączonych prostopadłościennych elementów, o wymiarach geom. rzędu kilkunastu do kilkudziesięciu nm, umieszczonych na nieprzewodzącym podłożu (np. ceramicznym), rzadziej w postaci dysku (tzw. dysk Corbino); ich rezystancja zwiększa się nawet kilkunastokrotnie ze wzrostem indukcji magnetyczej. Drugie mają zazwyczaj postać ścieżki o grubości kilkudziesięciu nm i szerokości kilkudziesięciu µm, naniesionej na podłoże izolacyjne (najczęściej szklane); zmiana ich rezystancji ze wzrostem indukcji magnet. na ogół nie przekracza kilku procent; większą zmianę rezystancji (do kilkudziesięciu procent) można osiągnąć w m. o strukturze wielowarstwowej, składającej się z 2 lub więcej warstw (grubości kilku nm) materiału ferromagnet. przedzielonych cienką warstwą metalu niemagnet.; działanie m. wielowarstwowych jest oparte na gigantycznym zjawisku magnetooporowym. Intensywne prace badawcze są prowadzone nad m. wykorzystującymi tzw. kolosalne zjawisko magnetooporowe.
M. są stosowane gł. do pomiaru pól magnet. w szerokim zakresie zmian indukcji magnet. (10–7–102 T), bezstykowego pomiaru natężenia prądu elektr., a także w głowicach magnetycznych, urządzeniach automatyki przem., modulatorach.
