implantacja jonów

implantacja jonów,

metoda wprowadzania domieszek do krystalicznego ciała stałego, polegająca na bombardowaniu jego powierzchni silnie skupioną wiązką jonów o dużej energii (od kilku keV do kilku MeV);

Głębokość wnikania jonów zależy od rodzaju ciała, energii oraz masy jonów i może osiągać wartości rzędu 1 µm.

I.j. stosuje się gł. w technice półprzewodnikowej i optoelektronice do precyzyjnego domieszkowania materiałów półprzewodnikowych i wytwarzania tzw. warstw zagłębionych o szczególnych właściwościach elektr. lub optycznych.

Coraz powszechniej stosuje się też i.j. do modyfikowania właściwości powierzchni metali (inżynieria powierzchni) w celu poprawienia ich odporności na ścieranie, odporności na korozję itp. Ta metoda modyfikowania powierzchni metali jest wykorzystywana do zwiększenia trwałości narzędzi lub elementów precyzyjnych konstrukcji, a także przy wytwarzaniu materiałów biomed. (implant) w celu polepszenia ich tolerancji przez żywy organizm i zwiększenia trwałości.