półprzewodnikach
Encyklopedia PWN
tranzystor unipolarny z izolowaną bramką, IGFET, ang. Insulated Gate FET,
tranzystor unipolarny wytwarzany zarówno z półprzewodników monokrystal., jak i polikrystal.;
tranzystor unipolarny złączowy, JFET, ang. Junction FET,
tranzystor unipolarny (wytwarzany z półprzewodników monokrystal.), w którym bramka tworzy z kanałem złącze prostujące;
Voigta zjawisko
fiz. podwójne załamanie światła spolaryzowanego liniowo przechodzącego przez parę lub gaz, wywołane zewn. polem magnet. prostopadłym do kierunku światła (dwójłomność magnet.);
[z. fokta],
fiz. złącze metalu z półprzewodnikiem otrzymane w wyniku pokrycia metalem płytki półprzewodnika;
badanie jakościowego (analiza jakościowa) i ilościowego (analiza ilościowa) składu chem. substancji.
Baoding, Paoting,
m. w Chinach, w prow. Hebei, na południowy zachód od Pekinu.
