tranzystor unipolarny z izolowaną bramką, IGFET, ang. Insulated Gate FET,
tranzystor unipolarny wytwarzany zarówno z półprzewodników monokrystal., jak i polikrystal.;
tranzystor unipolarny z izolowaną bramką
Encyklopedia PWN
gł. rodzaje: MISFET (ang. Metal–Insulator–Semiconductor FET), którego podstawową strukturą są warstwy: metal–izolator–półprzewodnik, i MOSFET (ang. Metal–Oxide–Semiconductor FET), w którym warstwę izolatora stanowi tlenek, oraz tranzystor cienkowarstwowy.
