unipolarnym

Encyklopedia PWN

tranzystor unipolarny z izolowaną bramką, IGFET, ang. Insulated Gate FET,
tranzystor unipolarny wytwarzany zarówno z półprzewodników monokrystal., jak i polikrystal.;
tranzystor unipolarny złączowy, JFET, ang. Junction FET,
tranzystor unipolarny (wytwarzany z półprzewodników monokrystal.), w którym bramka tworzy z kanałem złącze prostujące;
powstawanie pola elektr. w obracającym się ciele namagnesowanym.
tranzystor unipolarny, tranzystor polowy, ang. Field Effect Transistor (FET),
tranzystor o 3 elektrodach (źródło, bramka, dren), którego działanie polega na sterowaniu (za pomocą potencjału przyłożonego do bramki) ruchem nośników większościowych (elektronów lub dziur) między źródłem i drenem, w obszarze zw. kanałem.
tranzystor
[ang.],
przyrząd półprzewodnikowy o co najmniej 3 elektrodach mający właściwość wzmacniania sygnałów elektr., tj. stanowiący element czynny układów elektronicznych;
elektron. technologia wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych (układów scalonych, tranzystorów, diod i in.), w której wszystkie procesy prowadzące do uzyskania struktur tych przyrządów odbywają się na jednej stronie (powierzchni) płytki, stanowiącej ich podłoże i wykonanej z materiału półprzewodnikowego (półprzewodniki).
Przeglądaj encyklopedię
Przeglądaj tabele i zestawienia
Przeglądaj ilustracje i multimedia