metalicznym
Encyklopedia PWN
MOS, ang. Metal-Oxide-Semiconductor,
struktura półprzewodnikowa, stanowiąca układ 3 warstw: metalu, tlenku i półprzewodnika, wytwarzana technologią, zw. technologią MOS (będąca odmianą technologii planarnej).
Mościcki Ignacy, ur. 1 XII 1867, Mierzanowo k. Ciechanowa, zm. 2 X 1946, Versoix k. Genewy (Szwajcaria),
polski chemik technolog, wynalazca, prezydent RP.
zdolność materiałów metalicznych do osiągania bardzo dużego, równomiernego wydłużenia;
rurki zbudowane ze zwiniętych cylindrycznie, połączonych brzegami warstw grafitowych;
Nernsta zjawisko, zjawisko Nernsta–Ettinghausena,
powstawanie pola elektrycznego w płytce metalicznej lub półprzewodnikowej pod wpływem gradientu temperatury i prostopadłego do niego pola magnetycznego;
nikiel, Ni, niccolum,
pierwiastek chemiczny o liczbie atomowej 28;
