izolowaną bramką
Encyklopedia PWN
tranzystor unipolarny z izolowaną bramką, IGFET, ang. Insulated Gate FET,
tranzystor unipolarny wytwarzany zarówno z półprzewodników monokrystal., jak i polikrystal.;
tranzystor
przyrząd półprzewodnikowy o co najmniej 3 elektrodach mający właściwość wzmacniania sygnałów elektr., tj. stanowiący element czynny układów elektronicznych;
[ang.],
CMOS, ang. Complementary MOS, komplementarny układ scalony MOS,
monolityczny układ scalony z parami wzbogaconych komplementarnych tranzystorów MOS o przeciwstawnych typach kanału, tj. n i p; wytwarzany technologią zw. również CMOS.
tranzystor cienkowarstwowy, TFT, ang. Thin Film Transistor,
tranzystor unipolarny z izolowaną bramką wytwarzany techniką cienkich warstw (gł. z fosforku indu i siarczku kadmu);
