półprzewodnikami typu p
Encyklopedia PWN
półprzewodniki domieszkowe, w których dominującymi nośnikami ładunku elektr. są dziury (wykazują przewodnictwo dziurowe);
fiz. klasa ciał stałych o oporze elektrycznym właściwym pośrednim między oporem dielektryków i metali, zawierającym się w granicach 107–10–6 Ω · m;
złącze prostujące, kontakt prostujący,
układ 2 stykających się ze sobą materiałów o różnym charakterze przewodnictwa elektr. (półprzewodniki, metale), mający nieliniową, asymetryczną charakterystykę prądowo-napięciową i związaną z tym zdolność prostowania prądu elektrycznego.
tranzystor
przyrząd półprzewodnikowy o co najmniej 3 elektrodach mający właściwość wzmacniania sygnałów elektr., tj. stanowiący element czynny układów elektronicznych;
[ang.],
MOS, ang. Metal-Oxide-Semiconductor,
struktura półprzewodnikowa, stanowiąca układ 3 warstw: metalu, tlenku i półprzewodnika, wytwarzana technologią, zw. technologią MOS (będąca odmianą technologii planarnej).
dioda
przyrząd elektronowy o 2 elektrodach (anoda i katoda) odznaczający się nieliniową i niesymetryczną charakterystyką prądowo-napięciową;
[gr.],
