Charakterystyką
Encyklopedia PWN
MOS, ang. Metal-Oxide-Semiconductor,
struktura półprzewodnikowa, stanowiąca układ 3 warstw: metalu, tlenku i półprzewodnika, wytwarzana technologią, zw. technologią MOS (będąca odmianą technologii planarnej).
mat. zbiór K z dwoma działaniami, zwany dodawaniem (+) i mnożeniem (·), spełniającymi dla dowolnych elementów a, b, c ∈ K następujące warunki: 1) a + b = b + a, przemienność dodawania; 2) a + (b + c) = (a + b) + c, łączność dodawania; 3) ab = ba, przemienność mnożenia; 4) a(bc) = (ab)c, łączność mnożenia; 5) a(b + c) = ab + ac, rozdzielność mnożenia względem dodawania; 6) istnieją elementy 0, 1 ∈ K, 0 ≠ 1, zwane odpowiednio zerem i jednością ciała K, takie że 0 + a = a i 1· a = a; 7) dla każdego a ∈ K istnieje b ∈ K, takie że a + b = 0 (wykonalność odejmowania); 8) dla każdego a ∈ K, a ≠ 0, istnieje c ∈ K, takie że ac = 1 (wykonalność dzielenia).
czujnik, sensor:
przetwornik elektroakustyczny przetwarzający sygnały foniczne na sygnały akustyczne (dźwięki mowy, muzykę).
układ elektr. powodujący opóźnienie sygnałów elektr. bez zmiany ich kształtu;
opór elektryczny ujemny, oporność elektryczna ujemna,
właściwość układu (lub elementu) elektr. polegająca na tym, że opisująca układ zależność między zmianami natężenia ΔI i napięcia ΔU prądu elektr. ma, w pewnym określonym zakresie wartości I i U, postać funkcji malejącej;
